通過改進先進半導體襯底的研磨拋光工藝以降低成本3M精密電子研磨材料用于研磨半導體、電子器件和功率半導體的基板，如SiC晶片（碳化硅）、GaN（氮化鎵）和Ga2O3晶片（...
據泰國媒體近日報道，泰國計劃建立其首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，預計將在2027年正式投入運營，標志著泰國在半導...
碳化硅作為一種新興的半導體材料，具有導熱率高、寬禁帶、高擊穿電場、高電子遷移率等特性，使得其成為目前研發比較集中的半導體材料之一。因為這些性能，碳化硅可以廣泛地應用于襯...
SiC作為襯底材料，單晶SiC的表面粗糙度直接影響其在電子器元件中工作的效果與性能。為確保單晶SiC在半導體、襯底材料中的應用的穩定性，其表面粗糙度往往要達到納米級或以...
0引言SiC器件正面工藝完成后，需要用到減薄工藝對襯底進行減薄加工，降低器件的導通電阻。尤其對于600-1200V的中低壓SiC器件，襯底電阻帶來的損耗影響了SiC器件...
Part01三代半導體市場1.半導體材料發展歷程硅基材料是目前電力電子領域應用最為廣泛的半導體材料，也是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎。第一代元素半導體，主要包括以硅...
近日，DISCO公司開發了DFG8541，這是一款全自動研磨機，可以加工最大尺寸為8英寸的硅和SiC晶圓。它已在...
在“SEMICONJapan2022”（2022年12月14日至16日，東京國際展示場）上，首次舉辦了“學術獎”，以表彰有前途的大學/研究生院半導體研究。最高獎頒發給大...
多家供應商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半導體浪潮，從而為在市場上與傳統的硅基器件進...
根據市調機構YoleDeveloppement調查指出，全球碳化硅(SiC)功率半導體市場將從2017年的3.02億美元，快速成長至2023年的13.99億美元，201...
近日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。中國...
申請號:201710899306.9申請日:2017.09.28國家/省市:中國安徽(34)公開號:107641727A公開日:2018.01.30主分類號:C22C1...
申請號:201720079346.4申請日:2017.01.21國家/省市:中國寧夏(64)主分類號:B03C1/02(2006.01)授權公告號:206474279U...
申請號:201710293168.X申請日:2017.04.28國家/省市:中國哈爾濱(93)公開號:10705...
申請號:201710245487.3申請日:2017.04.14國家/省市:中國河南(41)公開號:107056303A公開日:2017.08.18主分類號:C04B3...
作者：M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要：新型工業產業對輕量級材料的需求促使了鋁基復合材料的研發和制備。在諸多AMMCs中...
申請號：201610190733.5申請人：西北工業大學發明人：劉永勝趙志峰游薔薇趙明晞張青成來飛摘要：本發明涉...
作者：SangHunNam,MyoungHwaKim,JinHyoBoo摘要：利用金屬有機化學氣相沉積法在真空（2.0×10?-6托）和不同溫度范圍（7
3月28日，中國超硬材料網市場總監劉小雨、市場經理高峰一行走...
公元1278年，此時的南宋就如零丁洋里的一片到處漏水的孤舟，...
2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展，加強國內外企業的交流與合作。
1963年，我國成功研制出第一顆人造金剛石，經過幾代人的拼搏奮斗，實現了從無到有、從小到大、從弱到強的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機床機械等領域發揮著愈發重要的作用。不僅如此，隨著金剛石技術的選代，金剛石民用領域—培育鉆石迎來了自己的大爆發，中國占據了世界培育鉆石產量的80%以上，近幾年在國際上產生了巨大影響力。
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