Part 01 三代半導(dǎo)體市場

       1.半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程

      硅基材料是目前電力電子領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料，也是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎(chǔ)。第一代元素半導(dǎo)體，主要包括以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的單質(zhì)半導(dǎo)體。第二代化合物半導(dǎo)體，主要指二元/三元化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件，應(yīng)用領(lǐng)域主要包括衛(wèi)星通信、移動通信、光通信、GPS導(dǎo)航等。

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，優(yōu)點是禁帶寬度大（>2.2ev）、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強、發(fā)光效率高、頻率高，可用于于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，也是目前國家大力發(fā)展的新型半導(dǎo)體器件。

圖表1 第一代到第三代半導(dǎo)體發(fā)展過程及對比

       2.SiC的優(yōu)勢及器件應(yīng)用

       SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具備諸多顯著優(yōu)勢。耐高壓：SiC材料可以通過更低的電阻率和更薄的漂移層實現(xiàn)更高的擊穿電壓，相同的耐壓值下，SiC功率模塊導(dǎo)通電阻/尺寸僅為Si的1/10，功率損耗大幅減少。耐高頻：SiC材料不存在電流拖尾現(xiàn)象，能夠提高元件的開關(guān)速度，是Si開關(guān)速度的3-10倍。耐高溫：SiC材料具有禁帶寬度大（約Si的3倍）、熱導(dǎo)率高（約Si的3.3倍），熔點高(2830℃，約Si的兩倍)的特點，因此SiC器件在減少電流泄露的同時大幅提高工作溫度。

      SiC按電阻性能分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。導(dǎo)電型SiC功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上得到碳化硅外延層后進一步加工制成，主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。半絕緣型SiC基射頻器件是通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層后進一步制成，主要用于5G通信、車載通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。

圖表2 SiC的主要器件形式及應(yīng)用

       3.SiC市場規(guī)模

      據(jù)Yole預(yù)測，全球SiC功率半導(dǎo)體市場將從2020年的8.88億美元增長到2030年的175.77億美元，復(fù)合年均增長率高達34.79%。目前Si仍是主流半導(dǎo)體材料，但第三代半導(dǎo)體滲透率仍將逐年攀升。據(jù)Yole預(yù)測，Si材料器件未來仍將占據(jù)半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)地位，預(yù)計未來市場滲透率仍超過80%。第三代半導(dǎo)體材料滲透率將會逐年攀升，整體滲透率預(yù)計于2024年超過10%，其中SiC的市場滲透率有望接近10%，GaN滲透率將達到3%。

      據(jù)浙商證券測算，2025年SiC襯底在新能源車市場的需求量達339萬片，市場空間為129億元，SiC器件的市場空間達429億元。預(yù)計2021-2025年，SiC器件在光伏應(yīng)用領(lǐng)域市場空間由23億元增長至92億元，到2025年SiC襯底需求量超過72萬片。

      受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動，以及光伏風(fēng)電等領(lǐng)域需求提升，SiC半導(dǎo)體的市場具備較強的確定性。但由于較高的技術(shù)壁壘，SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化仍具有較高的難度，有效產(chǎn)能低于報道產(chǎn)能。據(jù)華泰證券、浙商證券等預(yù)計，目前全球SiC襯底有效年產(chǎn)能不足，SiC襯底供給將于2026年達到飽和。

      在當(dāng)前有效供給不足、降本需求強烈的情況下，SiC產(chǎn)業(yè)鏈的材料創(chuàng)新、國產(chǎn)替代出現(xiàn)了窗口期。在產(chǎn)業(yè)鏈上游材料端提前布局，建立新的技術(shù)壁壘，成為了面對遠期市場供大于求、利潤擠壓的可行路徑。

      當(dāng)前制約SiC器件大規(guī)模商業(yè)化的主要因素是高成本，SiC襯底的降本增效成為關(guān)鍵，大尺寸襯底由于成本優(yōu)勢比較明顯，成為發(fā)展趨勢。根據(jù)天科合達測算，從4英寸提升到6英寸，單位成本預(yù)計能夠降50%；從6英寸到8英寸，成本能夠在這個基礎(chǔ)上再降低35%。根據(jù)Wolfsppeed，8英寸晶圓相比6英寸可切出近2倍的裸芯數(shù)量。大尺寸襯底的邊緣浪費更低，有效利用率更高，國內(nèi)外各大廠商均積極布局8英寸SiC襯底，量產(chǎn)進程有望加速。據(jù)德邦證券總結(jié)，SEMICON China2024展會中，國內(nèi)SiC襯底/外延廠商均有8英寸產(chǎn)品展出，其中襯底和設(shè)備廠商的8英寸產(chǎn)品能力快速提升；國內(nèi)廠商中，天岳先進、天域半導(dǎo)體已具備一定的8英寸量產(chǎn)能力。

       Part 02

       SiC器件生產(chǎn)與成本分析

       1.SiC器件生產(chǎn)流程

     SiC器件的生產(chǎn)流程主要為：首先，SiC粉末通過長晶形成晶碇；其次，經(jīng)過切片、薄片、拋光得到SiC襯底；然后，襯底經(jīng)過外延生長得到外延片；最后，外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等步驟制造成器件。

圖表3 SiC器件制作工藝流程

     襯底是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。外延是指在經(jīng)過切、磨、拋等仔細加工的單晶襯底上生長一層新單晶的過程。由于新生單晶層按襯底晶相延伸生長，從而被稱之為外延層；而長了外延層的襯底稱為外延片。

     SiC襯底材料是SiC芯片的核心。襯底的生產(chǎn)流程為：經(jīng)過單晶生長獲得SiC晶碇后；緊接著制備SiC襯底需要歷經(jīng)磨平、滾圓、切割、研磨（減薄)；機械拋光、化學(xué)機械拋光；以及清洗、檢測等工序。

圖表4 SiC襯底生產(chǎn)流程

     晶體生長主要有物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學(xué)氣相沉積法（HT-CVD）和液相外延（LPE）三種方法。PVT法是現(xiàn)階段商業(yè)化生長SiC襯底的主流方法。SiC晶體的生長溫度在2000°C以上，對溫度和壓力的控制要求高，目前存在錯位密度、晶體缺陷較高的問題。

     襯底切割將晶錠切割為晶片用來進行后續(xù)加工，切割方式影響到碳化硅襯底片后續(xù)的研磨等工藝工序的配合。晶錠切割以砂漿多線切割和金剛石線鋸切割為主，現(xiàn)有的SiC晶圓大多使用金剛線切割，但SiC硬度高、脆性高，存在晶片的良率較低、切割線的耗材成本較高等問題。同時，8英寸晶圓的切割時間明顯長于6英寸晶圓，切割線卡住的風(fēng)險也更高，從而導(dǎo)致良率下降。

     襯底切割技術(shù)發(fā)展趨勢為激光切割，在晶體內(nèi)部形成改性層從碳化硅晶體上剝離出晶片，屬于非接觸無材料損失加工，無機械應(yīng)力損傷，所以損耗更低、良率更高、加工方式靈活、加工的SiC面型更好。國外DISCO、英飛凌等廠商的激光切割設(shè)備已投入8英寸SiC的生產(chǎn)，國內(nèi)廠商大族激的激光切割設(shè)備目前進入產(chǎn)品驗證階段，北京中電科已實現(xiàn)6英寸Si單晶片的激光剝離。

     SiC襯底打磨加工包括研磨（減薄）、拋光兩個環(huán)節(jié)。SiC襯底的平坦化工藝主要有研磨和減薄兩種工藝路線。

     研磨分為粗磨和精磨環(huán)節(jié)。主流的粗磨工藝方案為鑄鐵盤配合單晶金剛石研磨液。多晶金剛石微粉和類多晶金剛石微粉被開發(fā)后，碳化硅精磨工藝方案是聚氨酯墊配合類多晶精磨液。新的工藝方案為蜂窩研磨墊配合團聚磨料。

     減薄分為粗磨減薄和精磨減薄兩個環(huán)節(jié)，采用減薄機加磨輪的方案，自動化程度高，有望代替研磨的技術(shù)路線。減薄工藝方案的工藝精簡，高精度磨輪的減薄可以為拋光環(huán)節(jié)省去單面機械拋光（DMP）；采用磨輪加工速度快，加工面型控制能力強，適合大尺寸晶圓加工。同時，相比于研磨的雙面加工，減薄為單面加工工藝，是外延制造和晶圓封裝時，對晶圓的背面進行研磨的關(guān)鍵工藝。減薄工藝推廣的難點在于磨輪的研發(fā)難度大、制造技術(shù)要求高。磨輪國產(chǎn)化程度非常低，作為耗材成本較高，目前磨輪市場主要被DISCO占據(jù)。

     拋光用于SiC襯底的光潔化，消除表面劃痕、降低粗糙度和消除加工應(yīng)力，分為粗拋和精拋兩個環(huán)節(jié)，碳化硅粗拋多采用氧化鋁拋光液，精拋多采用二氧化硅拋光液。

      2.SiC器件成本分析

     SiC器件價格高企的主要原因是SiC單晶生長緩慢、襯底制造困難、良品率低等。

    在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底的價值占比最高。一般來說，上游材料成本占到器件成品的75%，其中襯底約占50%，外延約25%。在一個典型的SiC MOSFET中，襯底的制造成本能占到器件總成本的35%以上而在6英寸SiC襯底制造過程中，包含良率損失的襯底成本占到總成本的70%以上。

圖表5 SiC芯片成本拆分

       SiC襯底單價較高，但售價隨著出貨量提升而逐步下行。2021年，天岳先進的平均銷售價格為6767元/片，較2020年同比下降25%。考慮到目前國產(chǎn)6英寸襯底還未大批量生產(chǎn)，所以預(yù)計還會有降價空間。另一方面，半絕緣型SiC襯底由于市場供 應(yīng)商較少，且下游有部分軍事裝備應(yīng)用，所以目前售價較高。當(dāng)前SiC襯底售價較高是良率水平低、晶圓尺寸小、自動化程度低等多因素導(dǎo)致的。隨著各廠商提升工藝、往更大尺寸SiC晶圓發(fā)展，預(yù)計SiC襯底售價將逐步下行。

      SiC器件降本主要通過三大途徑：降低襯底成本，主要通過8寸向12寸升級、持續(xù)優(yōu)化熱場；改進設(shè)計、器件制造、封裝等生產(chǎn)技術(shù)；設(shè)計更小尺寸芯片，使得單位晶圓產(chǎn)出更高。根據(jù)PGC統(tǒng)計，假設(shè)以2021年6寸SiC MOSFET 1200V/100A的成本為1個單位，2025年成本有望降至0.8以下，8寸的成本有望降至0.68附近。2021年SiC MOSFET為Si器件成本的3倍，到2025年有望降至2.5倍附近。

圖表6 2022-2030年SiC成本下降預(yù)測

       3.SiC生產(chǎn)設(shè)備分析

      從設(shè)備上分析生產(chǎn)成本，單晶爐為SiC生產(chǎn)的核心設(shè)備。根據(jù)浙商證券測算，單晶爐在設(shè)備投資額價值量占比約25%，CMP拋光機和研磨機分別占設(shè)備投資額25%和10%。

       晶體生長爐國內(nèi)主要廠商包括晶盛機電、北方華創(chuàng)等。目前部分廠商在6-8英寸已實現(xiàn)國產(chǎn)替代，但12英寸與國際水平仍存在差距，未來需伴隨國內(nèi)滬硅、中環(huán)、金瑞泓等國內(nèi)半導(dǎo)體硅片廠的成長、逐步突破。晶體爐與其他設(shè)備不同，其不能通過技術(shù)改造來完成產(chǎn)品的更新?lián)Q代，一旦硅片尺寸發(fā)生顯著變化，晶體爐必須完全更新?lián)Q代。隨著大尺寸光伏硅片逐漸成為主流，國產(chǎn)晶體生長設(shè)備企業(yè)會顯著受益，有望進一步降低設(shè)備成本。

      CMP設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中硅片制造、集成電路制造、封裝測 試環(huán)節(jié)，其中最主要的是集成電路制造環(huán)節(jié)。在硅片制造環(huán)節(jié)，在完成拉晶、硅錠加工、切片成型環(huán)節(jié)后；在拋光環(huán)節(jié)為最終得到平整潔凈的拋光片需要通過CMP設(shè)備及工藝來實現(xiàn)。在集成電路制造環(huán)節(jié)，芯片制造過程可分為薄膜淀積、CMP、光刻、刻蝕、離子注入等工藝環(huán)節(jié)。

      晶圓減薄機是半導(dǎo)體制造的重要設(shè)備之一，用于實現(xiàn)晶圓的切割與研磨，一般由粗磨系統(tǒng)、精磨系統(tǒng)、承片臺、機械手、料籃、定位盤、回轉(zhuǎn)工作臺等部分組成。

      2021年全球半導(dǎo)體晶圓劃片切割、減薄設(shè)備市場合計約26億美元。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年全球封裝設(shè)備市場規(guī)模約70億美元。劃片機在封裝設(shè)備市場份額約為28%，2021年全球劃片機市場份額約20億美元。根Marketresearch數(shù)據(jù)，2021年全球晶圓減薄設(shè)備市場規(guī)模約6.14億美元。

      據(jù)QYR的統(tǒng)計及預(yù)測，全球減薄機市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步擴張的態(tài)勢，2022年全球市場規(guī)模約8.2億美元，2018-2022年年復(fù)合增長率CAGR約為18.7%，預(yù)計未來將持續(xù)保持平穩(wěn)增長的態(tài)勢，到2029年市場規(guī)模將接近13.2億美元，未來六年CAGR為6.5%。

      劃片刀和減薄砂輪是半導(dǎo)體晶圓加工所用的主要金剛石工具。根據(jù)《半導(dǎo)體加工用金剛石工具現(xiàn)狀》，國內(nèi)半導(dǎo)體用金剛石工具市場中減薄砂輪、劃片刀分別占比26.5%、55.0%。國內(nèi)半導(dǎo)體金剛石工具市場規(guī)模約30億元。根據(jù)上海新陽公告，2018年國內(nèi)晶圓劃片刀年需求量為600-800萬片。根據(jù)IC insights及 Knometa Research，2018-2021年中國大陸晶圓產(chǎn)能復(fù)合增速約9.6%。根據(jù)華創(chuàng)證券測算，假設(shè)晶圓劃片刀需求量復(fù)合增速與同期中國大陸的晶圓產(chǎn)能復(fù)合增速保持一致，得到2021年國內(nèi)晶圓劃片刀的市場規(guī)模約為16億元；2021年國內(nèi)半導(dǎo)體用金剛石工具的市場規(guī)模約29.3億元，減薄砂輪的市場規(guī)模約為7.8億元。此外，根據(jù)QYResearch數(shù)據(jù)，2020年全球CMP拋光墊修整器的市場規(guī)模約15億元，預(yù)計2026年將達到18億元，年復(fù)合增長率3.1%。

      CMP設(shè)備市場行業(yè)高度壟斷，海外龍頭半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)起步較早，美國應(yīng)用材料和日本荏原近乎壟斷全球CMP設(shè)備市場。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院引用的Gartner數(shù)據(jù)，2020年美國應(yīng)用材料和日本荏原合計擁有全球CMP設(shè)備超過90%的市場份額。

圖表7 半導(dǎo)體硅片設(shè)備價值量占比

       4.SiC耗材成本分析

      我國半導(dǎo)體制造材料的整體技術(shù)水平與國外差距較大，存在巨大的國產(chǎn)替代空間。設(shè)根據(jù)國盛證券測算：假設(shè)2021年中國電子半導(dǎo)體材料營收規(guī)模150億人民幣，在全球市場中占有率僅4%；在中國所需的產(chǎn)值約119億美元的市場需求中，也僅占19%。      

      根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2021年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模同比增長15.9%達到643億美金新高。其中晶圓制造材料和封裝材料市場規(guī)模分別為404億美金和239億美金。晶圓制造環(huán)節(jié)中的硅片、化學(xué)品、CMP和光掩膜環(huán)節(jié)是增速最快的幾大領(lǐng)域，而硅片也是晶圓制造中成本占比最高的環(huán)節(jié)，市場規(guī)模超過130億美金。

圖表8 半導(dǎo)體原材料分布情況

      對于SiC的生產(chǎn)制造，切割、磨削、拋光的耗材成本是生產(chǎn)成本的重要部分。根據(jù)安芯投資統(tǒng)計，切割環(huán)節(jié)的耗材為金剛石砂漿，約70%的襯底廠家的切割耗材為采購金剛石微粉后自行配置，而剩下的30%廠家則為直接采購。根據(jù)天科合達報告，切割用金剛石粉的成本占SiC原材料成本的7.53%；研磨用的研磨液的成本占SiC原材料成本的15.5%；拋光材料約占SiC原材料成本的7%。

      Part 03研磨減薄機與拋光設(shè)備市場競對分析

     全球主要減薄機生產(chǎn)商包括日本DISCO、日本TOKYO SEIMITSU、日本KOYO SEIKO、德國G&N等，全球前三廠商占有85%的市場份額。其中日本DISCO與TOKYO SEIMITSU 2022年合計市占比超65%，市場集中度較高。

      根據(jù)《半導(dǎo)體加工用金剛石工具現(xiàn)狀》，中國約90%的半導(dǎo)體加工用劃片刀和減薄砂輪來自進口，高端半導(dǎo)體加工企業(yè)所用金剛石工具基本被國外產(chǎn)品壟斷。國外半導(dǎo)體用金剛石工具廠商主要為日本DISCO、日本旭金剛石、東京精密、韓國二和(EHWA)及美國UKAM等。

       1.研磨減薄設(shè)備

       (1)日本迪思科株式會社 DISCO Corporation

       DISCO成立于1937年，是專注于“切、磨、拋”技術(shù)的全球知名半導(dǎo)體設(shè)備廠商。產(chǎn)品主要為半導(dǎo)體設(shè)備切割機、研磨機、拋光機及其他半導(dǎo)體加工后道切割和研磨設(shè)備；精密加工工具切割刀片，研削、拋光磨輪等。其中耗材業(yè)務(wù)（精密加工工具和維修業(yè)務(wù)）比重的不斷提升，平衡了公司的業(yè)績波動。

圖表9 半導(dǎo)體原材料分布情況   

      DISCO在晶圓劃片刀和減薄砂輪市場具有絕對份額。2021財年DISCO來自中國大陸地區(qū)的收入為49億元，根據(jù)國創(chuàng)證券測算，假設(shè)其中耗材的占比與公司總體業(yè)務(wù)中耗材的占比23%一致，則2021年DISCO在中國大陸的劃片刀和減薄砂輪營收約11億元，在中國大陸23.8億元的市場中占比47%。

      (2)江蘇京創(chuàng)先進電子科技有限公司

      京創(chuàng)先進成立于2013年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體精密切、磨、拋設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，2023年獲得B+輪融資。

      京創(chuàng)先進已成功實現(xiàn)12英寸全自動精密劃片機產(chǎn)業(yè)化的自主創(chuàng)新，并在劃切設(shè)備主航道提供從6-12英寸的半自動到全自動的各類劃片設(shè)備、滿足半導(dǎo)體集成電路、GPP/LED氮化鎵等芯片、分立器件、LED封裝、光通訊器件、聲表器件、MEMS等芯片的精密劃切需求之外，產(chǎn)品線已拓展至JIG SAW設(shè)備、減薄設(shè)備等多個半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。

      (3)北京中電科電子裝備有限公司

      北京中電科主要產(chǎn)品有減薄、劃切設(shè)備。減薄設(shè)備2022年實現(xiàn)合同額1.2億元，2023年全系列產(chǎn)品產(chǎn)值將突破2億元。自主研發(fā)的國產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機實現(xiàn)了批量化應(yīng)用，已有20多臺不同型號設(shè)備用于集成電路材料加工、芯片制造、先進封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn)；將快速形成年產(chǎn)100臺減薄機的交付能力。此外，還將陸續(xù)推出12英寸減薄拋光一體機的產(chǎn)業(yè)化機型和8英寸SiC減薄研磨（CMP）機。

       (4)深圳市夢啟半導(dǎo)體裝備有限公司

      深圳夢啟成立于2021年，是經(jīng)深交所主板上市公司長盈精密投資控股的子公司。主要業(yè)務(wù)為芯片研磨設(shè)備和空氣軸承，包括全自動高精密晶圓減薄機、高精密拋光機、全自動高精密倒角機等硬脆材料的加工裝備、以及高精度氣浮主軸部件系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

      公司具備打破國外技術(shù)壟斷并替代國外設(shè)備的能力，目前正在開發(fā)第三代半導(dǎo)體材料SiC研磨成套設(shè)備，以及新一代藍寶石芯片研磨成套設(shè)備。

      2.CMP拋光設(shè)備

      (1)華海清科股份有限公司

      華海清科公司成立于2013年4月，主要業(yè)務(wù)有CMP設(shè)備、減薄設(shè)備、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)等。主要產(chǎn)品及服務(wù)已廣泛應(yīng)用于集成電路、先進封裝、大硅片、第三代半導(dǎo)體、MEMS、Micro LED等制造工藝。

      公司的CMP設(shè)備是目前國內(nèi)唯一可以量產(chǎn)12英寸商業(yè)級的CMP機臺，產(chǎn)品已在各大國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，打破海外巨頭在該領(lǐng)域的壟斷地位。華創(chuàng)證券根據(jù)公司財報披露數(shù)據(jù)測算，2018-2021年公司在中國大陸地區(qū)的CMP設(shè)備市場占有率約為1.05%、6.12%、12.64%和22.7%。2021年以來，隨著國內(nèi)晶圓廠加速擴產(chǎn)，國產(chǎn)設(shè)備替代逐步升溫，公司抓住市場機遇持續(xù)提升國內(nèi)市場占有率，2023年度凈利潤7.27億元，同比增長44.99%。

      (2)北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

      特思迪成立于2020年3月，2022年初華為哈勃投資持有特思迪10%的股權(quán)，2023年10月完成B輪融資。公司深耕半導(dǎo)體襯底材料、晶圓制造、半導(dǎo)體器件、先進封裝、MEMS等領(lǐng)域的超精密平面加工技術(shù)，可提供減薄、拋光、CMP的系統(tǒng)解決方案和工藝設(shè)備。

      公司在2022年推出了可兼容6英寸和8英寸的全自動減薄機，SiC襯底磨拋設(shè)備的銷售額取得了300%YoY的增長。2023年公司進一步推進6英寸和8英寸設(shè)備的同步發(fā)展；B輪融資的資金也主要投向8英寸SiC磨拋工藝和設(shè)備的研發(fā)，借此加快研發(fā)突破，助力8英寸SiC量產(chǎn)。

     公司應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體襯底材料、部分芯片等領(lǐng)域的產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)批量銷售。拋光機、減薄機等設(shè)備已被天科合達、比亞迪、東莞天域、中電科13所、泰科天潤等客戶所采用。

     (3)蘇州邁為科技股份有限公司

      邁為股份成立于2010年9月，2018年11月上市，面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。公司立足真空、激光、精密裝備三大關(guān)鍵技術(shù)平臺，致力成為泛半導(dǎo)體領(lǐng)域細分行業(yè)標桿。

      2021年起，邁為股份向華天科技(西安)有限公司供應(yīng)半導(dǎo)體晶圓激光開槽設(shè)備，得益于激光能量控制、槽型及切割深度控制等多項技術(shù)優(yōu)勢，設(shè)備已實現(xiàn)穩(wěn)定可靠、行業(yè)領(lǐng)先的量產(chǎn)表現(xiàn)。2024年1月邁為股份半導(dǎo)體晶圓研拋一體設(shè)備順利發(fā)往國內(nèi)頭部封測企業(yè)華天科技(江蘇)有限公司，同步供應(yīng)12英寸晶圓減薄設(shè)備以及晶圓激光開槽設(shè)備。公司自主研發(fā)的國內(nèi)首款(干拋式)晶圓研拋一體設(shè)備各項性能指標達到預(yù)期，開啟客戶端產(chǎn)品驗證。

     3.磨盤磨料

     (1)深圳中機新材料有限公司

      中機新材2018年開始研發(fā)貴硬SiC團聚金剛石；2021年正式成立公司并量產(chǎn)金剛磨石材料，成為國內(nèi)首創(chuàng)研磨環(huán)節(jié)新方案，可平替進口產(chǎn)品；2024年2月獲得A輪融資。

      公司提供精密研磨、拋光系統(tǒng)的應(yīng)用綜合解決方案；擁有切割、減薄、粗磨、精磨、粗拋、精拋全工藝環(huán)節(jié)的耗材產(chǎn)品，主要磨拋材料有團聚金剛石微粉、研磨拋光墊、金剛石線據(jù)、SiC減薄砂輪。

      公司首創(chuàng)的團聚金剛石技術(shù)替代了傳統(tǒng)多晶和類多晶。傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，并且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。團聚技術(shù)后替代多晶和類多晶后，生產(chǎn)過程環(huán)保的同時成本得以降低。在耗液量上，團聚金剛石方案用量僅為3um單晶金剛石方案的20%，即使選用昂貴的進口團聚金剛石，6寸SiC襯底片加工也保有成本優(yōu)勢。

     (2)中國機械工業(yè)集團有限公司下屬企業(yè)國機精工股份有限公司

      國機精工作為精密軸承、超硬材料制品領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，重點為國民經(jīng)濟和國防建設(shè)提供軸承、工磨具等關(guān)鍵機械基礎(chǔ)件產(chǎn)品，成功開發(fā)出中國第一顆人造金剛石和立方氮化硼，是我國超硬產(chǎn)業(yè)之源。

      公司超硬材料業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展，實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋。超硬材料板塊的運營主體為三磨所、鄭州新亞和精工銳意子公司，三家公司分別負責(zé)板塊下金剛石材料及磨料磨具、復(fù)合超硬材料和超硬材料高端裝備業(yè)務(wù)，實現(xiàn)了從上游金剛石生產(chǎn)設(shè)備制造、中游金剛石原材料生產(chǎn)和下游超硬制品生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋。

      三磨所在CVD法金剛石上持續(xù)投入，有望實現(xiàn)半導(dǎo)體耗材領(lǐng)域國產(chǎn)替代。三磨所的劃片刀、減薄砂輪等產(chǎn)品憑借質(zhì)量和性價比優(yōu)勢，已經(jīng)實現(xiàn)對華天科技、長電科技、通富微電等批量供貨。

     (3)西安易星新材料有限公司

      易星新材料是西安市政府投資并重點扶持的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)鏈完備的核心耗材供應(yīng)商，于2022-2023年完成SiC與Si減薄磨輪開發(fā)與穩(wěn)定性驗證，是國內(nèi)唯一一家成功實現(xiàn)SiC精密減薄研磨輪國產(chǎn)化的企業(yè)。

      公司具備西安交通大學(xué)、陜西科技大學(xué)團隊背景，長期致力于半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料研究。公司自主開發(fā)數(shù)控多層布料增材制造技術(shù)，實現(xiàn)粉體材料的精準設(shè)計與調(diào)控，開發(fā)結(jié)合劑，實現(xiàn)了磨輪減薄的持續(xù)性、穩(wěn)定性。解決金剛石與結(jié)合劑界面合理結(jié)合的行業(yè)技術(shù)難題，形成金剛石“脫落-出露”的動態(tài)平衡，保證優(yōu)良的減薄加工品質(zhì)，精磨輪質(zhì)量通過設(shè)備廠商測試驗證。