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一種用于C/SiC復合材料的高溫抗氧化涂層材料

申請號:201410597033.9申請日:2014.10.31國家/省市:中國北京(11)

日期 2015-05-04   

一種基于光固化3D打印的SiC陶瓷基渦輪葉片的制造方法

申請號:201410722422.X申請日:2014.12.01國家/省市:中國西安(87)

日期 2015-04-24   

一種SiC納米線改性的CF/PI復合材料的制備方法

申請號:201410399995.3申請日:2014.08.14國家/省市:中國哈爾濱(93)

日期 2015-03-12   

一種棒狀ZrB2增韌ZrB2-SiC超高溫陶瓷的制備工藝

申請號:201410467238.5申請日:2014.09.15國家/省市:中國山東(37)

日期 2015-03-02   

熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響

熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響
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熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響

作者:P.Laxminarayana,A.ChennakesavaReddy1.引言:復合材料由基體相和增強相組成;這兩種相構成的材料屬性比傳統材料要更加優越。多數復合

日期 2015-02-27   

不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性

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作者:ParthaP.Dey,AlikaKhare引言納米結構碳化硅的機械強度高、硬度高、化學惰性好,比傳統碳化硅材料要優越許多。因此常用于硅基微機電系統(MEMS),...

日期 2015-02-10   

第三代半導體SiC技術的崛起

第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起

第一代半導材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群,促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生,95%以上的半導體器件和99%以上...

日期 2015-01-17   

SiC/TiB2增強型鋁基復合材料

SiC/TiB2增強型鋁基復合材料
SiC/TiB2增強型鋁基復合材料
SiC/TiB2增強型鋁基復合材料

(原作者:JohnyJames.S,Venkatesan.K,Kuppan.P,Ramanujam.R)引言金屬基復合材料由于其優越的硬度、耐磨性和承重性等特點而被廣泛

日期 2015-01-10   
研磨拋光領域未來之星——β-SiC

研磨拋光領域未來之星——β-SiC

立方碳化硅又名β-Sic,屬立方晶系(金剛石晶型)。β-Sic的莫氏硬度為9.25--9.6,與金剛石接近,光潔...

日期 2013-12-07   

意法半導體推出可降低能耗的碳化硅(SiC)二極管

電源開關使用的普通硅二極管因為無法立即關斷而導致電源能效損失1%。功率半導體世界領先廠商意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM),率先推出可在開關操作中降低能耗的碳化硅...

日期 2013-08-05   

Microsemi公司推出工業級碳化硅(SiC)電源模塊系列產品

近日,Microsemi公司宣布推出了新一代碳化硅(SiC)標準電源模塊,非常適用于大功率開關模式電源供應器、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率...

日期 2013-01-21   

SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究

為了研究磨削工藝參數對SiC材料磨削質量的影響規律,利用DMG銑磨加工中心做了SiC陶瓷平面磨削工藝實驗,分析研究了包括主軸轉速、磨削深度、進給速度在內的磨削工藝參數對...

日期 2012-11-29   

加快我國SiC功率器件研發與商用步伐

碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型半導體材料,具有諸多潛在的優點:更小的體積、更有效率、完全去除開關損耗、低漏極電流、比標準半導體(純硅半導體)更高的開關頻率以及在標...

日期 2012-11-28   

飛兆發布碳化硅(SiC)技術解決方案

為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求,工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而,在可再生能源...

日期 2012-11-22   

氮化硅鐵結合SIC復合材料的氧化行為

以工業SIC和硅鐵粉為原料,二者的配料組成(質量分數)分別為90%和10%,外加2%的黃糊精為暫時結合劑,采用半干法機壓成型后在氮化爐中于1380℃5h氮化燒成制備出氮...

日期 2011-07-12   

SiC顆粒增強鋁基復合材料高速銑削工藝研究

1.引言近二十年來,隨著科學研究的不斷深入,顆粒增強鋁基復合材料已經發展成為航空航天及汽車工業常用的一種重要新材料。這種材料具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、...

日期 2011-06-25   

SiC磨具低溫燒結成陶瓷結合劑的研究

SiC磨具低溫燒結成陶瓷結合劑的研究
SiC磨具低溫燒結成陶瓷結合劑的研究
SiC磨具低溫燒結成陶瓷結合劑的研究

摘要通過改善結合劑的耐火度、流動性、強度,試制出用于低溫燒成(1000℃以下)的低熔結合劑。該結合劑的強度和制作成的試塊的硬度都比較高。ABSTRACTByimprov...

日期 2011-06-23   

SiC多孔陶瓷的氣孔率和強度

SiC多孔陶瓷的氣孔率和強度
SiC多孔陶瓷的氣孔率和強度
SiC多孔陶瓷的氣孔率和強度

摘要選用SiC作為骨料,長石和粘土組成的陶瓷結合劑和活性C作為成孔劑,對不同的燒成溫度下SiC多孔陶瓷的氣孔率和強度進行了研究。溫度的提高使SiC多孔陶瓷的顯氣孔率降低...

日期 2011-06-23   

SiC材料的制備技術及其新產品

SiC材料的制備技術及其新產品
SiC材料的制備技術及其新產品
SiC材料的制備技術及其新產品

1前言SiC是人造強共價健化合物材料,自E.G.Acheson1891年電熔金剛石時被首次發現以來,SiC材料以優異的高溫強度、高熱導率、高耐磨性和腐蝕性在航空航天、汽...

日期 2011-06-23   

PVA TePla AG 宣布推出用于制造碳化硅晶體的高溫系統 SICube

硅晶化系統以及真空和高溫系統制造商PVATePlaAG宣布推出用于制造碳化硅(SiC)晶體的高溫系統SICube。SiCube中所生產的晶體主要面向高科技市場中的客戶。...

日期 2012-10-22   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

中國人造金剛石誕生60周年

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1963年,我國成功研制出第一顆人造金剛石,經過幾代人的拼搏奮斗,實現了從無到有、從小到大、從弱到強的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機床機械等領域發揮著愈發重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術的選代,金剛石民用領域—培育鉆石迎來了自己的大爆發,中國占據了世界培育鉆石產量的80%以上,近幾年在國際上產生了巨大影響力。

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