近日，韓國蔚山科學技術大學能源化學工學部教授白鐘范成功用合成氮和碳，開發(fā)出比硅功能強100倍的新的半導體材料。該項研究成果已刊登在國際學術雜志《Nature Communications》上。

       之前，很多研究人員認為，替代硅半導體的理想物質將是石墨的單原子層“石墨烯（Graphene）”。石墨烯之所以被稱為“革命性的新材料”是因為導熱性能好且沒有電氣的抵抗。但僅由導電的部分，難以制造電路。

       而白鐘范研究小組將碳和氮以化學方式合成，在石墨烯內制造了不導電的空間，從而制造出電路。該新材料達電和不達電時的信號傳達比率（閃 爍比率）為1000萬倍。到目前為止，性能最好的硅半導體的閃爍比率為10萬倍。閃爍比率越高，信號傳達越正確，被評價為最優(yōu)質的半導體。

       此外，新材料與不耐熱的半導體相比，還有一個優(yōu)點是溫度在600攝氏度以上時也穩(wěn)定運轉。

       目前用于半導體制造的硅在狹窄的空間里制造多條電路，因過熱而出故障或遭到損失。雖然三星電子上月開發(fā)了電路線的幅度10納米（1納米=10億分之1米）的硅半導體技術，但學術界認為5納米達到上限。