CMP技術的目的是消除硅片表面的高點及波浪形。拋光墊是輸送研磨漿料的關鍵部件， 它用于將研磨漿中的磨蝕粒子送入片子表面并去除副產品，平坦化的獲得是因為硅片上那些較高的部分接觸拋光墊而被去除。

       CMP拋光墊通常由聚氨酯泡沫材料制成，這種材料具有優異的耐磨性和彈性。聚氨酯的多孔結構使得拋光墊在拋光過程中能夠有效地緩沖壓力、收集去除物、傳輸拋光液，并保證化學腐蝕作用。這些微孔的設計對于提高拋光均勻性和效率至關重要。孔徑的大小和分布會影響拋光墊的傳輸能力和拋光效果。

       拋光墊的硬度對拋光均勻性有明顯的影響，硬墊可獲得較好的模內均勻性 (WID) 和較大的平面化距離，軟墊可改善片內均勻性 (WIW)，為獲得良好的WID和 WIW，可組合使用軟、硬墊，在圓片及其固定裝置間加一層彈性背膜 (backing film)，可滿足剛性及彈性的雙重要求。

       硅片材料的性質和要求：不同的硅片材料需要選擇適合的拋光墊。

       磨料顆粒的粒徑和形狀：磨料的選擇會影響拋光效果。

       拋光液的配方和使用方法：不同的拋光墊需要配合相應的拋光液。

       避免過度壓力：過度的壓力會加速拋光墊的磨損。

       拋光墊的整修：拋光墊使用后會逐漸“釉化”，使去除速度下降，用修整的方法可以恢復拋光墊的粗糙面，改善其容納漿料的能力，從而使去除速度得到維持且延長拋光墊的壽命。

       定期更換拋光墊：定期更換可以保證拋光效果和產品質量。

       正確處理拋光墊：使用和清洗時應避免損傷拋光墊表面，存儲時應避免不利環境因素。

       總之，CMP拋光墊是半導體制造中不可或缺的材料，正確的選型和使用對于保證產品質量和提高生產效率至關重要。通過綜合考慮材料特性、工藝要求和設備條件，可以有效地利用CMP拋光墊，實現高質量的表面加工。