中科院物理研究所與北京天科合達藍光半導體有限公司經過8個月的努力，合作研發出了具有自主知識產權的第二代碳化硅晶體生長爐，進一步優化了具有自主知識產權的碳化硅晶體生長工藝，使晶體質量的穩定性和產率得到提高。同時，在國內首次建立了一條完整的從切割、研磨到化學機械拋光(CMP)的碳化硅晶片中試生產線，建成了百級超凈室，開發出碳化硅晶片表面處理，清洗、封裝等工藝技術，使產品達到了即開即用(Epi-ready)的水準。日前，第一批中試批量生產的6H和4H晶型碳化硅晶片產品已經下線并發往國內用戶。
　　
　　碳化硅晶片是第三代半導體關鍵基礎材料，在微電子、電力電子和半導體照明器件等領域有著重要的應用和廣闊的市場前景。此前，碳化硅晶體生長及加工技術被國外少數公司壟斷，國內所需的碳化硅晶片幾乎全部依賴進口。中科院物理所自1999年開展碳化硅晶體生長研究工作，在攻克晶體生長關鍵技術并獲得高質量晶片之后，率先在國內開展了碳化硅晶體生長技術的產業化工作。2006年8月與上海匯合達投資管理有限公司、新加坡吉星藍光科技有限責任公司共同成立了國內第一家致力于碳化硅晶片研發、生產和銷售的公司——北京天科合達藍光半導體有限公司。這次產品中試成果，標志著碳化硅晶片的國產化進入了一個新階段。
　　
　　物理所碳化硅產業化工作得到了中科院物質科學基地、科技部863計劃和其它國家相關部門的大力支持。