中國科學院上海硅酸鹽研究所立足自主研發，在掌握直徑50.8mm(2英寸)、76.2mm(3英寸)碳化硅單晶生長技術之后，近日成功生長出直徑100mm(4英寸)4H晶型碳化硅單晶。碳化硅單晶正朝著大尺寸的方向迅速發展。

       碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂移速度高，臨界擊穿場強大，熱導率高等諸多特點，主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET、IGBT等器件。在綠色照明領域，用碳化硅襯底制作的LED性能遠優于藍寶石襯底。2012年4月，科銳公司利用SiC襯底制作的LED其發光效率達到254 lm/w，再次創造了業界記錄。在功率半導體領域，碳化硅有望實現Si材料無法實現的高效率及小型化。2012年，科銳、三菱電機、羅姆均推出了全碳化硅功率模塊產品。飛兆半導體也宣布于2013年上半年開始量產碳化硅基雙極結型晶體管。碳化硅襯底需求將在短期內迎來一個爆發增長期。