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一種用晶體硅的碳化硅切割廢料制備碳化硅多孔陶瓷的方法

關(guān)鍵詞 碳化硅 , 多孔陶瓷|2018-02-28 10:28:04|行業(yè)專利|來源 中國磨料磨具網(wǎng)
摘要 申請?zhí)?201710725687.9申請日:2017.08.22國家/省市:中國沈陽(89)公開號:107686369A公開日:2018.02.13主分類號:C04B38/02(2...

申請?zhí)? 201710725687.9

申請日: 2017.08.22

國家/省市:中國沈陽(89)

公開號: 107686369A

公開日: 2018.02.13

主分類號:C04B 38/02(2006.01)

分類號: C04B 38/02(2006.01); C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 35/634(2006.01); C04B 35/63(2006.01)

申請人: 東北大學(xué)

發(fā)明人: 馬北越; 張亞然; 李世明; 任鑫明; 張博文; 于景坤

代理人: 梅洪玉

代理機(jī)構(gòu):大連理工大學(xué)專利中心(21200)

申請人地址:遼寧省沈陽市和平區(qū)文化路三巷11號


摘要:一種用晶體硅的碳化硅切割廢料制備碳化硅多孔陶瓷的方法,屬于二次資源利用的技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法為:先將晶體硅碳化硅切割廢料進(jìn)行預(yù)處理,除去聚乙二醇(PEG)和水,其次,根據(jù)晶體硅碳化硅切割廢料的組分摻入適量的碳粉;然后,以預(yù)處理后的切割廢料為原料,加入酚醛樹脂作為粘結(jié)劑,銨鹽作為造孔劑,碳粉為形成SiC的碳源,將混合料手磨混均;最后,在50~300MPa下干壓成型,于保護(hù)氣氛下在1200~1600℃下燒結(jié)2~8h制得碳化硅多孔陶瓷。該方法實(shí)現(xiàn)了晶體硅的碳化硅切割廢料的高效增值材料化利用,不僅變廢為寶,而且減少了環(huán)境污染。該方法操作簡單易行,便于工業(yè)化生產(chǎn)。 


主權(quán)利要求

一種用晶體硅的碳化硅切割廢料制備碳化硅多孔陶瓷的方法,其特征在于,按以下步驟進(jìn)行:步驟1:原料預(yù)處理(1)將晶體硅碳化硅切割廢料進(jìn)行煅燒、粉碎過篩處理,得到去除聚乙二醇(PEG)和水的切割廢料;(2)根據(jù)晶體硅碳化硅切割廢料的組分配比,配置碳粉;碳粉的使用量高于晶體硅碳化硅切割廢料與碳粉反應(yīng)的消耗量;步驟2:混料:按照制備出的碳化硅多孔陶瓷性能要求,配置相關(guān)造孔劑,使之與原料混合均勻;造孔劑添加量為5%~60%;步驟3:制樣和燒結(jié)(1)將混勻的粉料干壓成型;成型壓力為50~300MPa;(2)將成型后試樣充分干燥后,置于高溫爐中,在保護(hù)氣氛下燒結(jié)并保溫一定時(shí)間;燒結(jié)溫度為1200℃~1600℃,燒結(jié)保溫時(shí)間為2~8h。

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