目前世界發達國家CVD金剛石薄膜的生產方法很多，主要有：熱絲CVD法（HFCVD）、燃燒火焰沉積法（Flame deposition）、直流電弧等離子噴射CVD法（DAPCVD）、微波等離子體CVD法（WMPCVD）、激光輔助CVD 法（LACVD）等。
因CVD金剛石薄膜具有高純度、高硬度、高耐磨性、高熱導率、高光透過波段寬度、高化學穩定性、耐酸堿腐蝕等特性，利用其高硬度開發制造砂輪的修整工具、刀具等刃具，以及發動機缸套、噴砂嘴、噴水嘴、精密軸承支撐器、人造骨關節、錄音磁頭、磁盤保護層等耐磨器件，其在光、熱、電、聲等高新技術領域中功能性應用的前景將更加廣闊。
CVD的光學應用：金剛石具有從紫外到紅外的透光性和良好的透過率、高硬度和高導熱率、較強的抗輻射損傷和極好的耐熱沖擊性能，因此，CVD金剛石是最好的紅外保護材料。可用于超音速新型攔截導彈的頭罩；飛機（車、船）載紅外熱成像裝置或其他光學裝置的窗口或窗口保護層，大功率激光窗口的熱透鏡；用于照相機鏡頭既能起到增透作用，又提高鏡頭的耐磨性；用作太陽能電池增透膜，可提高太陽能電池效率60%以及紅外線夜視鏡等。
CVD用作熱沉元器件：金剛石的熱傳導率在室溫下為銅的5倍，是目前已知材料中最高的、高絕緣電阻和極低熱膨脹系數等特性，是大功率激光器件、微波器件、大功率集成電路、發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)等高功率密度電路元件的散熱材料，可以提高這些器件的功率壽命。目前我國已有能力制備各種金剛石熱沉片。
CVD用作電子器件：金剛石半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、抗輻射性強、高臨界擊穿電場、低的介電常數以及很高的載流子遷移率；由于金剛石具有負電子親和勢，在低電場下具有比其他場發射材料更低的功函數與閾值電場，是一種非常理想的電子場發射材料，特別適合在平板顯示器、紫外光、X-射線、α粒子等輻射探測器等真空微電子器件中應用。
CVD用作傳感器：摻硼的金剛石薄膜具有顯著的縱向壓敏電阻效應，并具有高的彈性模量，是制造高溫、惡劣條件工作的壓力傳感器的最佳材料。隨后許多國家對此作了大量的研究，并且美、德、日等國的金剛石薄膜壓力傳感器已經試驗成功。金剛石薄膜除了具有壓阻效應外，還具有熱敏電阻效應，適應溫度范圍廣，響應時間短等特點，因此金剛石薄膜可制成溫度傳感器。目前已試驗成功的金剛石傳感器件有壓力傳感器、溫度傳感器，還有微加速度傳感器等。
CVD在聲學方面的應用：CVD金剛石薄膜的縱波聲速是自然界所有材料中最大的（20000m/s），并具有高的彈性模量，有利于聲學波的高保真傳輸，是極佳的高頻聲表面波（SAW）材料，是制作揚聲器高頻振膜最理想的材料。在鍍有金剛石薄膜的鈦復合振膜的頻響上限從純鈦振膜的20kHz 提高到30kHz，最高可達33kHz，使高音揚聲器電聲性能有顯著的提高，使高音更加清脆亮麗。
CVD所具有的優越性能和廣闊的應用前景，得到了我國的高度重視，被列入我國高技術研究發展的“863”計劃，眾多大學、研究單位從事CVD的研究工作，研發隊伍迅速擴大，專業研發和生產的企業越來越多。
“十一五”期間，我國低壓高溫化學氣相沉積法合成金剛石膜（CVD）的專業研發和生產企業迅速增加，創新能力迅速提高，生產規模迅速擴大，產品質量有了質的提升，應用研究快速跟進，發展迅速。目前我國金剛石膜（CVD）制備采用最多的是熱絲法（HFCVD）。該技術的特點是設備相對簡單，操作方便，成本低，是工具應用金剛石膜制備的主要方法，可以生長大面積CVD膜（300×300mm2），用于工具的金剛石厚膜可以達到150毫米直徑、2毫米以上；另一種是直流等離子體噴射化學氣相沉積法（DAPCVD），該方法不但可以制備用于砂輪修整工具坯料、刀具坯料、拉絲模芯坯料和耐磨器件，而且可制備用于光學窗口、散熱元件等的功能材料，還可以用來制作高純度金剛石大單晶，達到世界先進。同時我國在熱絲法、直流等離子法CVD制備設備的制造技術同步提高，我國研制成功了“高功率直流等離子體噴射CVD設備”，使我國成為繼美國之后，能獨立設計、制造同類設備的國家，達到世界先進水平。目前我國采用直流等離子化學氣相沉積的金剛石薄膜（CVD），直徑可達200毫米，厚度達3毫米，不但為我國金剛石膜工具及耐磨器件的制造應用給力，同時也為金剛石在熱、光、電、聲等高新技術領域的應用奠定了基礎，開辟了廣闊前景。