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中國電子領域重大突破 打破碳化硅器件封鎖

摘要:碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途。其中,大量用于制作電熱元件硅碳棒,并可以用于大功率電子器件制造。根據...

日期 2014-01-23   

中國碳化硅器件產業千億市場待啟 概念股前景光明

中國首次實現碳化硅大功率器件的批量生產,在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業內專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機。據證券日報報道,泰科天潤半導體科技(北京...

日期 2014-01-22   

中國實現碳化硅大功率器件批量生產

中國首次實現碳化硅大功率器件的批量生產,在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業內專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機。泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S...

日期 2014-01-21   

高壓碳化硅電力電子器件關鍵設備工藝獲批863前沿技術項目

近日,由中國電子科技集團48所、2所、55所共同申請的國家科技部“863”前沿技術項目已獲批,該項目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關鍵設備和工藝,其中包...

日期 2013-09-02   

碳化硅電力電子器件發展中的難題

一、引言近二十年來碳化硅半導體材料開始被行內人士重視,因為它有許多優勢。早在上世記50年代,在黃昆、謝希德合著的“半導體物理學”著作中已介紹了半

日期 2013-08-07   

加快我國SiC功率器件研發與商用步伐

碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型半導體材料,具有諸多潛在的優點:更小的體積、更有效率、完全去除開關損耗、低漏極電流、比標準半導體(純硅半導體)更高的開關頻率以及在標...

日期 2012-11-28   

日本制成耐2萬伏超高壓的半導體器件

日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發出可耐2萬伏超高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于...

日期 2012-11-15   

科銳宣布升級工藝設計套件 開發碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件

科銳公司(Nasdaq:CREE)宣布升級一款先進的工藝設計套件(PDK),該款PDK基于安捷倫公司的AdvancedDesignSystem(ADS)軟件,能夠為微波...

日期 2012-07-16   

英飛凌推出CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件

2012年6月19日,德國紐倫堡訊—在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推...

日期 2012-06-20   

科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破

2012年5月9日,中國上海訊—碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq:CREE)將重新界定大功率應用的性能和能效,推出全新產品系列—50A碳化硅功率器件。該...

日期 2012-05-10   

瑞薩電子推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件,它們是RJQ6020DPM、R...

日期 2012-02-11   

即將普及的碳化硅器件

隨綠色經濟的興起,節能降耗已成潮流。在現代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。據統計,60...

日期 2009-10-12   

碳化硅將領航新型功率半導體器件材料

自上世紀80年代開始,高頻化和軟開關技術的開發研究,使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。上世紀90年代...

日期 2007-10-25   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

中國人造金剛石誕生60周年

中國人造金剛石誕生60周年

1963年,我國成功研制出第一顆人造金剛石,經過幾代人的拼搏奮斗,實現了從無到有、從小到大、從弱到強的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機床機械等領域發揮著愈發重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術的選代,金剛石民用領域—培育鉆石迎來了自己的大爆發,中國占據了世界培育鉆石產量的80%以上,近幾年在國際上產生了巨大影響力。

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